Прием 2020

Если ты хочешь заниматься созданием передовых технологий в области ядерного приборостроения, электрофизики, геофизики, физики плазмы, мощной импульсной электроники, радиационной медицины, СВЧ-электроники, стать разработчиком интеллектуальных физико-технических (киберфизических) систем, тогда

НИЯУ МИФИ (г. Москва) в лице кафедры «Прикладная ядерная физика» приглашает тебя пройти обучение в

бакалавриате по направлению 12.03.01«Приборостроение»

и магистратуре по направлению 12.04.01 «Приборостроение».

Наряду с обучением в престижном университете нашим студентам предоставляется возможность стажировки в ведущих предприятиях Росатома (ВНИИА, НИИТФА, СНИИП и др) с последующим трудоустройством по желанию.

Преимущества обучения на нашей кафедре:

общежитие для иногородних студентов;
дополнительная стипендия во время стажировки на предприятии;
трудоустройство по окончании бакалавриата и магистратуры;
возможность продолжить образование в аспирантуре;
дружный молодой коллектив кафедры.

Во время обучения студенты имеют возможность трудоустроиться в институт ФГУП "ВНИИА"

Контрольные цифры приема в магистратуру по направлению "Приборостроение" - 20 чел

Контрольные цифры приема в бакалавриат по направлению "Приборостроение" - 10 чел

По вопросам поступления на образовательные программы можно обращаться по тел.+7(495)788-56-99,

доб. 9334 зам. директора ИФТИС Блинкова Екатерина Сергеевна

доб. 9197 доцент кафедры "Прикладная ядерная физика" Бойко Надежда Владимировна

e-mail: iftis@mephi.ru

Адрес: 115409, Москва, Каширское шоссе, 31, приемная комиссия

Проезд: ст. метро «Каширская», далее авт. 148, 275, 280, 298, 608, 709, 738, 742, 907; трол. 67, 71

до ост. «МИФИ» (одна остановка или от метро 10–15 мин. пешком).